Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR8256
IRLR8256PBF Hakkında
IRLR8256PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ve 81A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç kaybı uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketine sahip olan bu bileşen, 5.7mΩ maksimum on-direnç değeri (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok