Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR8103VTRPBF

MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR8103

IRLR8103VTRPBF Hakkında

IRLR8103VTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 91A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 115W maksimum güç yayabilir. 27nC gate yükü ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. (Not: Bu ürün şu anda üretim dışı statüsündedir.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 91A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok