Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR8103VPBF-IR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR8103
IRLR8103VPBF-IR Hakkında
IRLR8103VPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (D-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 91A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 91A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2672 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok