Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR8103

MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR8103

IRLR8103 Hakkında

IRLR8103, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source geriliminde 89A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (7mOhm @ 10V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-PAK) SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilim aralığı ve 50nC gate charge değeri hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kararlı çalışma sağlar. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok