Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR7843PBF

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR7843

IRLR7843PBF Hakkında

IRLR7843PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen bir N-channel metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilim kapasitesi ile 161A sürekli dren akımı sağlamaktadır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.3mΩ maksimum RDS(on) direnci ve 2.3V eşik gerilimi ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç dönüştürme, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalar için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip bu transistör, 50nC maksimum kapı yükü ve 140W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 161A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4380 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok