Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR7843PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR7843
IRLR7843PBF Hakkında
IRLR7843PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 161A sürekli drenaj akımı ile düşük direnç uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 3.3mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde ısı kaybı minimum seviyelerde tutulur. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), güç yönetimi devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 140W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 161A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4380 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok