Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR7807ZPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR7807
IRLR7807ZPBF Hakkında
IRLR7807ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj derecesi ile 43A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 13.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda verimli çalışır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 11nC gate charge ve 780pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok