Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR4343PBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR4343
IRLR4343PBF Hakkında
IRLR4343PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 55V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50mOhm on-state direnci (10V gate voltajında) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 79W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok