Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3802TRPBF-INF
IRLR3802 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3802
IRLR3802TRPBF-INF Hakkında
IRLR3802 bir N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj desteği ile 84A sürekli drain akımı sağlayabilir. Maksimum 8.5mOhm RDS(on) değeri ve 41nC gate charge özelliğine sahiptir. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 88W güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2490 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok