Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3802TRPBF

IRLR3802 - HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3802

IRLR3802TRPBF Hakkında

IRLR3802TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 12V Drain-Source voltajında 84A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 8.5mΩ açık durum direncine (RDS On) ulaşır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan IRLR3802, düşük on-direnci sayesinde verimli güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 88W güç dağıtma kapasitesi ile motor sürücüleri, güç kaynakları, döner anahtarlar ve benzer güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 41nC gate yükü ve 2490pF giriş kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama operasyonlarına imkan verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok