Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3717PBF

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3717

IRLR3717PBF Hakkında

IRLR3717PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu komponent, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 31nC gate charge ve 2830pF input kapasitansi hızlı anahtarlama özelliği ile karakterizedir. Yüksek akım uygulamalarında etkinliği nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2830 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok