Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3705ZPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3705Z
IRLR3705ZPBF Hakkında
IRLR3705ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 42A kontinü drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8mOhm (10V, 42A'da) düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 130W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 42A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok