Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3636
IRLR3636TRPBF Hakkında
IRLR3636TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 6.8mOhm (10V, 50A) düşük on-state direnci ile minimum enerji kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok