Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3410PBF

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3410

IRLR3410PBF Hakkında

IRLR3410PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 105mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybında çalışır. TO-252 (DPak) surface mount pakajında sunulur ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. 79W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici cihazlarında tercih edilir. ±16V gate gerilimi ve 2V threshold gerilimi ile uyumlu ve güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok