Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3410PBF-INF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3410
IRLR3410PBF-INF Hakkında
IRLR3410PBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, 79W güç tüketimine kadar çalışabilir. 4V ve 10V gate drive voltajlarında 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özelliği sunar. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde gelen bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Düşük gate charge (34nC @ 5V) ve düşük input kapasitansi (800pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konverter ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok