Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3410PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3410
IRLR3410PBF Hakkında
IRLR3410PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 17A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sunar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya dayanıklıdır. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve similasyon sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok