Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3303TRRPBF

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3303

IRLR3303TRRPBF Hakkında

IRLR3303TRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 35A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 31mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (26nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok