Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3114ZTRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3114Z

IRLR3114ZTRPBF Hakkında

IRLR3114ZTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 40V drain-source voltaj ve 42A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 4.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 140W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 56nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3810 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok