Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3110ZTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3110

IRLR3110ZTRRPBF Hakkında

IRLR3110ZTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 42A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 14mOhm ile düşük RDS(on) değeri sunarak verimli güç aktarımı sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 140W güç dağıtabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. Kompakt paket tasarımı ve yüksek akım kapasitesi ile yoğun güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok