Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3110

IRLR3110ZTRPBF Hakkında

IRLR3110ZTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 42A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 10V gate voltajında 14mOhm on-resistance değeri ile çalışır. TO-252 (D-Pak) yüzey montajlı paketlemede sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 140W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük gate charge (48nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok