Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3110Z

IRLR3110ZPBF Hakkında

IRLR3110ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 14mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Maksimum 140W güç tüketebilir. Bileşen Digi-Key'de üretilmiş olarak listelenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok