Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR3105PBF

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR3105

IRLR3105PBF Hakkında

IRLR3105PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 37mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPAK) kasa tipiyle SMD montajına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Maksimum ±16V gate gerilimi ile uyumlu driver devreleriyle kolayca integre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok