Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR3103PBF
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR3103
IRLR3103PBF Hakkında
IRLR3103PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 55A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük on-dirençi (19mΩ @ 33A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında enerji verimliliği sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 107W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 50nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok