Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR2908TRLPBF-INF
IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR2908
IRLR2908TRLPBF-INF Hakkında
IRLR2908 bir N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 28mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRLR2908, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç yönetimi devreleri için kullanılır. 120W maksimum güç saçılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. ±16V maksimum gate-source gerilimi ve 2.5V threshold gerilimi ile kontrol devrelerinde kullanım esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok