Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR2905ZPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR2905Z

IRLR2905ZPBF Hakkında

IRLR2905ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük gate charge (35 nC @ 5V) ve düşük RDS(on) değeri (13.5mOhm @ 36A, 10V) ile karakterize edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, 110W güç kayıplarına dayanabilir. Maksimum gate gerilimi ±16V olup, eşik gerilimi 3V @ 250µA'dır. Ürün Digi-Key tarafından satışı durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok