Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR2905TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR2905
IRLR2905TRRPBF Hakkında
IRLR2905TRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold voltajı 2V ve maksimum gate gerilimi ±16V'tür. 48nC gate charge ve 1700pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 110W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel kontrol, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok