Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR2705TR

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR2705

IRLR2705TR Hakkında

IRLR2705TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim ve 28A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V gerilim altında 40mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve PWM kontrol devrelerinde kullanılır. 68W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 25nC kapı yükü özelliklerine sahiptir. Hızlı anahtarlama gereksinimlerinin olduğu endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok