Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR210ATM
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR210A
IRLR210ATM Hakkında
IRLR210ATM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş geriliminde 1.5Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 9nC gate yükü ve 240pF giriş kapasitesiyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.35A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok