Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR210ATM
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR210A
IRLR210ATM Hakkında
IRLR210ATM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 5V gate sürüş geriliminde 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında kullanım gerektiren uygulamalara uygun kılmaktadır. Güç kaynağı anahtarlaması, motor kontrolü, PWM uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 9nC gate charge ve 240pF input capacitance değerleri, hızlı komütasyon özelliği gerektiren devrelerde tercih edilmesini sağlar. Düşük RDS(on) değeri, ısıl yönetim ve enerji verimliliği açısından avantajlıdır. Ürün halen üretilmemekte olup stok malzeme olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.35A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok