Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR120NTRR
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR120N
IRLR120NTRR Hakkında
IRLR120NTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 185mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-252 (DPak) Surface Mount paketi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında ve genel amaçlı yükseltici/düşürücü devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 48W maksimum güç tüketimi destekler. Lojik seviye gatelerle (4-10V) sürülmesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok