Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR120NTRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR120N

IRLR120NTRPBF Hakkında

IRLR120NTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) surface mount paketinde sunulur. 10V gate geriliminde maksimum 185mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 48W güç dağıtabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, dc-dc konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 4V ve 10V drive voltajı seçenekleri ile esneklik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok