Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR120NTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR120N

IRLR120NTRLPBF Hakkında

IRLR120NTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 185mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, switching regülatörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±16V gate voltajı toleransı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok