Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR120NPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR120N
IRLR120NPBF Hakkında
IRLR120NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi, 10A sürekli dren akımı ve 185mΩ maksimum on-direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRLR120NPBF, 48W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir ve 4V-10V sürüş geriliminde optimum performans gösterir. ±16V maksimum gate gerilimi ile güvenli işletim sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok