Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR120ATF
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR120A
IRLR120ATF Hakkında
IRLR120ATF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 8.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5V gate drive voltajında 220mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynaklarında tercih edilir. Maksimum 2.5W (Ta) güç dağılımı kapasitesiyle düşük kayıp anahtarlama gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 4.2A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok