Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR110
IRLR110PBF Hakkında
IRLR110PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (6.1 nC @ 5V) ve kontrollü RDS(on) değeri (540mOhm @ 2.6A, 5V) ile karakterizedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2.6A, 5V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok