Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR014NPBF

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR014N

IRLR014NPBF Hakkında

IRLR014NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate drive gerilimi 4.5V-10V arasında değişir ve maksimum 7.9nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRLR014NPBF, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün mevcut üretimine son verilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok