Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLMS2002
IRLMS2002GTRPBF Hakkında
IRLMS2002GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 6.5A sürekli drenaj akımına sahiptir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile ultracompact tasarıma uygundur. 30mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 22nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve mobil cihaz uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen obsolete durumda bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | Micro6™(SOT23-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok