Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLML6302GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLML6302
IRLML6302GTRPBF Hakkında
IRLML6302GTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 780mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 (Micro3) paketinde sunulan bu bileşen, 600mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, yük anahtarlaması, dijital lojik kontrol uygulamaları ve taşınabilir cihazlarda yaygın olarak kullanılır. Düşük kapasitans ve gate yükü değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 780mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 97 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | Micro3™/SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok