Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLML2803TRPBF

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
IRLML2803

IRLML2803TRPBF Hakkında

IRLML2803TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, küçük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23 paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (250mΩ @ 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, portable cihazlar, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 540mW güç disipasyonu kapasitesiyle ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli işletim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 910mA, 10V
Supplier Device Package Micro3™/SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok