Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLM110ATF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLM110A

IRLM110ATF Hakkında

IRLM110ATF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5V gate sürüş voltajında 440mOhm maksimum On-State direnci sunar. SOT-223-4 yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük güç tüketimli devreler, LED kontrol, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 2.2W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir ve hızlı anahtarlama uygulamaları için düşük gate charge değeri (8nC @ 5V) sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 750mA, 5V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok