Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLL3303TRPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLL3303

IRLL3303TRPBF Hakkında

IRLL3303TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj ve 4.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük on-state direnci (31mΩ @ 4.6A, 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. Surface mount TO-261-4 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, yük kontrolü ve düşük voltaj DC motor uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok