Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLL3303PBF

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLL3303

IRLL3303PBF Hakkında

IRLL3303PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 31mΩ on-state direnç (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 50nC ve input capacitance 840pF olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum ±16V gate-source gerilimi ve 1W güç tüketimi kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok