Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLL110TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLL110

IRLL110TRPBF-BE3 Hakkında

IRLL110TRPBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 540mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıpla çalışır. Gate eşik gerilimi 2V'da 250µA akımında tetiklenir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve genel amaçlı dijital kontrol devreleriyle uyumlu çalışmak için kullanılır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok