Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLL110PBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLL110
IRLL110PBF Hakkında
IRLL110PBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 1.5A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-resistance karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montajı paketinde sunulan transistör, 4V-5V gate sürücü geriliminde maksimum 540mOhm on-resistance değeri gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunan IRLL110PBF, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (6.1nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 900mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok