Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLL024ZPBF

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLL024Z

IRLL024ZPBF Hakkında

IRLL024ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60mOhm (10V, 3A koşullarında) on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. 11nC gate charge ve 380pF input capacitance özellikleri ile anahtarlama hızı iyi olan bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, motor denetleyicileri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate eşik gerilimi 3V olup, ±16V maksimum gate-source gerilimi ile kullanımı kolaydır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok