Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLL024NPBF-INF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLL024N
IRLL024NPBF-INF Hakkında
IRLL024NPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 65mOhm on-state direnci düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponentin Gate Charge değeri 15.6nC, Input Capacitance ise 510pF'dir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan IRLL024NPBF-INF, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok