Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLL024NPBF

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRLL024N

IRLL024NPBF Hakkında

IRLL024NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-223 SMD paketinde sunulmaktadır. 65mOhm (@ 3.1A, 10V) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 1W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı FET uygulamalarında kullanılır. 15.6nC gate charge ve 510pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok