Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLI640G
IRLI640GPBF Hakkında
Vishay IRLI640GPBF, 200V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 9.9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4V-5V gate sürüş gerilimiyle çalışan bu bileşen, TO-220-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.9A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok