Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLI640G

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLI640G

IRLI640G Hakkında

IRLI640G, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim dayanımı ve 9.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde üretilen bu bileşen, 180mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 66nC olup, ±10V gate gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında operasyon yapabilen IRLI640G, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 40W güç tüketebilmesi onu medium-power uygulamalar için uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok