Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLI620GPBF

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLI620G

IRLI620GPBF Hakkında

IRLI620GPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj (Vdss) ve 4A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 5V kapı sürücü voltajında 800mOhm maksimum gate-drain direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 30W güç tüketim kapasitesiyle entegre edilen uygulamalarda tercih edilir. Entegre tab izolasyonu Through Hole montaj türünü destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.4A, 5V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok